三菱电机开始提供“高频用混合SiC功率半导体模块”样品
栏目：行业动态
发布时间：2014-06-17
有助于实现电力电子装置的高效化、小型化和轻量化
“高频用混合SiC功率半导体模块”开始提供样品
三菱电机株式会社将于5月15日开始提供高频用混合SiC功率半导体样品，该功率半导体的二极管部分采用SiC※1的材料。通过采用碳化硅（SiC）技术，对于使用电力逆变器如不间断供电电源（UPS）、医疗器械专用电源、太阳能逆变器等电力电子装置而言，将更有助于其实现高效化、小型化和轻量化。
此外，高频用混合SiC功率半导体模块将在“PCIM※2 Europe2014展”（5月20～22日于德国纽伦堡举行）上展出。
※1 SiliconCarbide：碳化硅
※2 PCIM：Power Conversion Intelligent Motion
CMH100DY-24NFH CMH 200DU-24NFH CMH 400DU-24NFH
CMH150DY-24NFH CMH300DU-24NFH CMH 600DU-24NFH
高频用混合SiC功率半导体模块
新产品的特点
1．损耗减少约40%，有助于实现装置的高效化、小型化和轻量化
・采用SiC-SBD※3用于二极管、高频开关Si-IGBT用于晶体管的混合型结构。
・SiC-SBD由于不会产生反向恢复电流，可使开关的损耗大幅降低，损耗降低约40%，因而有助于实现装置的高效化。
・由于损耗大幅减少，将有利于散热装置的进一步小型化、轻量化，而功率器件的高频化则有助于实现电抗器等配件的小型化和轻量化。
※3 SchottkyBarrierDiode：肖特基势垒二极管
2．内部寄生电感降低，可有效抑制浪涌电压
・采用适用高速开关的低电感封装。
・100A、150A产品与以往产品※4相比，内部寄生电感约降低30%。
※4 采用硅(Si) 的高频用IGBT模块“NFH系列”
3．与以往产品封装保持一致，方便用户替换
・确保了与以往产品※4的封装一致性，因而可以直接替换。
新产品的概要
产品名 | 型号 | 概要 | 样品出厂日期 |
高频用 混合SiC 功率半导体 模块 | CMH100DY-24NFH | 1200V/100A2in1 | 5月15日 |
CMH150DY-24NFH | 1200V/150A2in1 | ||
CMH200DU-24NFH | 1200V/200A2in1 | ||
CMH300DU-24NFH | 1200V/300A2in1 | ||
CMH400DU-24NFH | 1200V/400A2in1 | ||
CMH600DU-24NFH | 1200V/600A2in1 |
提供样品的目的
近年来，从有效利用能源的观点出发，使用碳化硅（SiC）的功率半导体可以大幅降低功率损耗并可实现功率器件高速开关，因而用户对它的期盼日益迫切。此前，针对不间断供电电源装置（UPS）、医疗器械专用电源等需要进行高频开关操作的电力电子装置，本公司已经提供了开关特性最优化的功率半导体模块“NFH系列”。
现在，通过进一步的研制开发，三菱电机开始提供高频用混合型碳化硅（SiC）模块的样品，该模块作为“NFH系列”的新阵容，通过采用SiC-SBD，可以大幅降低功率损耗。
高频用混合SiC功率半导体模块使用“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”开发技术的一部分。
主要规格
用途 | 型号 | 额定电压 | 额定电流 | 电路结构 | 封装尺寸 （W）×（D） |
工业设备 | CMH100DY-24NFH | 1200V | 100A | 2in1 | 48×94mm |
CMH150DY-24NFH | 150A | ||||
CMH200DU-24NFH | 200A | 62×108mm | |||
CMH300DU-24NFH | 300A | ||||
CMH400DU-24NFH | 400A | 80×110mm | |||
CMH600DU-24NFH | 600A |
环保考虑
本产品符合欧盟成员国规定的RoHS※6标准，且不含汞。
※5 RestrictionoftheuseofcertainHazardousSubstancesinelectricalandelectronicequipment
制作工厂
三菱电机株式会社 功率器件制作所
〒819-0192 福冈县福冈市西区今宿东一丁目1番1号
