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MOS

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MOS

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分离器件及半导体


MOSFET:

用于中国的HVMos(Fighting Tiger HVMos)系列品是具有低栅极电荷量和优良开关特性的N沟道MOSFET器件，专为高电压应用而设计，适合应用于开关电源，AC适配器等。

模块框图:



产品线

数据表
（中文版）

数据表
（英文版）

产品名称

VDSS
(V)

ID
(A) 

RDS(on)
max.(Ω) 

封装
(V)

生产状态



N6001NZ

600

1

9.3

TO-251

已经量产



N6002NZ

600

2

4.4

TO-251

已经量产



N6003NZ

600

3

4.4

TO-220FP

已经量产



N6004NZ

600

4

2.2

TO-220FP

已经量产



N6006NZ

600

6

1.2

TO-220FP

已经量产



N6008NZ

600

8

0.75

TO-220FP

已经量产

－

－

N6504NZ

650

5.5

2.1

TO-220FP

开发中

－

－

N6506NZ

650

7.5

1.35

TO-220FP

开发中

－

－

N6508NZ

650

9.5

0.85

TO-220FP

开发中


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